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氮化硅（SiC）作為半導(dǎo)體材料，具有極高的熱導(dǎo)率，在電子飽和速率、抗輻射能力上也有較強(qiáng)的表現(xiàn)，易散熱、小體積、低能耗、高功率等明顯優(yōu)勢(shì)。

新能源汽車(chē)通過(guò)氮化硅（SiC）能夠有效的加速性能與動(dòng)力系統(tǒng)輸出最大功率，提升加速度；新能源汽車(chē)領(lǐng)域重要的是續(xù)航里程和充電時(shí)間，為了提高電壓能在同樣的電阻下減少電耗損失，提升效率，增加續(xù)航里程，通過(guò)氮化硅（SiC）器件能夠提升導(dǎo)通/開(kāi)關(guān)兩個(gè)維度降低損耗；氮化硅（SiC）材料能夠?qū)崿F(xiàn)高頻開(kāi)關(guān)，減少濾波器和無(wú)源器件，從而減少電池容量，有助于車(chē)輛輕量化。

氮化硅陶瓷襯板又稱陶瓷電路板，在陶瓷基片上通過(guò)覆銅技術(shù)形成基板，再通過(guò)激光鉆孔、圖形刻蝕等工藝制造成陶瓷電路板。目前已經(jīng)逐漸成為車(chē)企優(yōu)異導(dǎo)熱和抗彎性能對(duì)SiC芯片封裝的最佳材料。

氮化硅陶瓷銅基板通過(guò)蝕刻加工能夠保障產(chǎn)品性能優(yōu)勢(shì)、表面細(xì)膩平滑、無(wú)毛刺。通過(guò)蝕刻工藝能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)陶瓷銅基板的焊層蝕刻。蝕刻陶瓷銅基板在高溫下的服役可靠性更強(qiáng)，這也是逐漸成為汽企青睞的首選。